T/CASAS 043-2024 SiC MOSFET高温反偏试验方法

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温反偏试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。

本文件适用范围：SiC MOSFET分立功率器件，功率模块。

标准编号：T/CASAS 043-2024

标准名称：SiC MOSFET高温反偏试验方法

发布部门：第三代半导体产业技术创新战略联盟

发布日期：2024-11-19

实施日期：2024-11-19

文件大小：497.69KB

文件格式：PDF

文件页数：15页