GB/T 47725-2026 微机电系统（MEMS）技术 硅通孔三维结构可靠性评价要求

本文件规定了微机电系统(MEMS)中硅通孔三维结构可靠性评价的样品、失效模式分类及可靠性评价项目,以及参数评价、内外部形貌评价、热应力特性评价、电应力特性评价、机械特性评价、互连特性评价和三维结构评价的要求。

本文件适用于单层或多层堆叠的TSV 三维结构的可靠性评价,其中的TSV 结构可以是仅通孔侧壁有金属、孔内部填实金属或孔局部填实金属。

标准编号：GB/T 47725-2026

标准名称：微机电系统（MEMS）技术 硅通孔三维结构可靠性评价要求

英文名称：Micro-electromechanical systems (MEMS) technology—Requirements for reliability evaluation of three-dimensional structure of through-silicon vias

发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会

发布日期：2026-05-25

实施日期：2026-12-01

起草单位：中国电子科技集团公司第五十五研究所、中机生产力促进中心有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、上海航天技术基础研究所、浙江大学、厦门大学、西北工业大学、杭州电子科技大学、宁波中车时代传感技术有限公司、无锡华润上华科技有限公司、清华大学、武汉大学、中国科学院微电子研究所、中国航天时代电子有限公司、上海交通大学、左蓝微（江苏）电子技术有限公司、联合微电子中心有限责任公司、东莞理工学院、深圳新声半导体有限公司、深圳市英唐智能控制股份有限公司、山东国创微纳制造研究院有限公司

起草人员：朱健、李根梓、黄旼、郁元卫、吴静、张笑天、崔荣、吴维丽、陈思、杜林、董树荣、马盛林、关赫、轩伟鹏、侯晓伟、胡永刚、赵嘉昊、陈志文、焦斌斌、李男男、吴林晟、张树民、崔伟、陈豪翔、邹洁、江丽娟、张南

文件格式：PDF

文件页数：29页

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