GB/T 48345-2026 用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片

本文件规定了用于高电子迁移率晶体管(HEMT)功率器件的硅衬底氮化镓外延片(以下简称“氮化镓外延片”)的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。

本文件适用于在硅衬底上生长的用于功率电子领域高电子迁移率晶体管的氮化镓外延片。

标准编号：GB/T 48345-2026

标准名称：用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片

英文名称：GaN on Si epitaxial wafers for HEMT power devices

发布部门：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会

发布日期：2026-09-28

实施日期：2027-04-01

起草单位：苏州晶湛半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、华润微电子（重庆）有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、珠海镓未来科技有限公司、广东工业大学、大连理工大学、中山大学、北京中博芯半导体科技有限公司、中国科学院微电子研究所、工业和信息化部电子第五研究所、北京大学东莞光电研究院、南京盛鑫半导体材料有限公司、重庆平创半导体研究院有限责任公司、江苏能华微电子科技发展有限公司

起草人员：向鹏、程凯、杨露、高伟、郑晨焱、叶念慈、张铭宏、贺致远、黄火林、刘扬、陈正昊、康玄武、施宜军、刘强、宋占洋、陈显平、夏远洋

文件格式：PDF

文件页数：15页

文件大小：859.95 KB